Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2 AK Fedotov, MI Tarasik, IA Svito, P Zhukowski, TN Koltunowicz, ... Electrical Review, R. 88, N. 7a (2012) 301–304, 2012 | 15 | 2012 |
Effects of Fluences of Irradiation with 107 MeV Krypton Ions on the Recovery Charge of Silicon -Diodes N Poklonski, N Gorbachuk, M Tarasik, S Shpakovski, V Filipenia, ... Acta Physica Polonica A 120 (1), 111-114, 2011 | 12 | 2011 |
Modification of electrical properties of CdSxSe1− x films by hard irradiation and nanostructuring AM Saad, AK Fedotov, AV Mazanik, MI Tarasik, AM Yanchenko, ... Thin Solid Films 487 (1-2), 202-204, 2005 | 12 | 2005 |
Создание геттера в кремнии путем имплантации ионов сурьмы ПК Садовский, АР Челядинский, ВБ Оджаев, МИ Тарасик, ... Физика твердого тела–том, 2013 | 7 | 2013 |
Радиальное распределение времени жизни носителей заряда в кремнии МИ Тарасик, СН Якубеня, АМ Янченко Электронная техника. Серия 14: Материалы, 48, 1985 | 7 | 1985 |
Getter formation in silicon by implantation of antimony ions PK Sadovskii, AR Chelyadinskii, VB Odzhaev, MI Tarasik, AS Turtsevich, ... Physics of the Solid State 55, 1156-1158, 2013 | 3 | 2013 |
Optical-absorption spectrum of silicon containing internal elastic stresses AA Patrin, MI Tarasik Journal of applied spectroscopy 65, 598-603, 1998 | 3 | 1998 |
Impedance of reverse biased diodes irradiated with krypton ions with energy of 250 MeV NA Poklonsky, NI Gorbachuk, AV Ermakova, MI Tarasik, SV Shpakovski, ... 7th International Conference New Electrical and Electronic Technologies and …, 2011 | 2 | 2011 |
Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта МИ Тарасик, ДС Шварков, АМ Янченко Физика и техника полупроводников 22 (1), 97-100, 1988 | 2 | 1988 |
Capture mechanism of holes by radiation defects with Esub (c)-0. 20 eV level in Sb-doped Ge MI Tarasik, VD Tkachev, VU Yavid, AM Yanchenko Phys. Status Solidi B;(German Democratic Republic) 104 (2), 1981 | 2 | 1981 |
О влиянии упругих напряжений на диффузию бора в кремнии ВБ Оджаев, ВИ Плебанович, МИ Тарасик, АР Челядинский Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 88-94, 2017 | 1 | 2017 |
Formation of nanotubes in Cz Si wafers using He+ implantation and subsequent O+-or N+-plasma treatment AV Frantskevich, AM Saad, NV Frantskevich, AK Fedotov, AV Mazanik, ... Vacuum 83, S103-S106, 2009 | 1 | 2009 |
Electric properties of hydrogenated polycrystalline CdS-CdSe solid solution films AK Fedotov, S Manego, AV Mazanik, M Tarasik, Y Trofimov, AG Ulyashin, ... Solid State Phenomena 69, 589-594, 1999 | 1 | 1999 |
Influence of hydrogen plasma treatment on electric properties of polycrystalline CdSxSe1-x films S Manego, A Mazanik, M Tarasik, Y Trofimov, A Fedotov, A Ulyashin, ... Diffusion and Defect Data Pt. B: Solid State Phenomena, 509-514, 1999 | 1 | 1999 |
Улучшение термостабильности пленок алюминия и его сплавов на кремнии с использованием быстрой термообработки ВА Пилипенко, ВН Пономарь, ВА Горушко, МИ Тарасик, АМ Янченко Минск: Універсітэцкае, 1998 | 1 | 1998 |
Carrier transport in heavily doped polycrystalline silicon layers after annealing by a scanning laser beam AK Fedotov, MI Tarasik, AM Yanchenko Applied surface science 84 (4), 379-382, 1995 | 1 | 1995 |
Photoluminescence of undoped semi-insulating gallium arsenide heat treated at an excess arsenic vapor pressure C Chao, VA Bykovskii, MI Tarasik Semiconductors 28 (1), 19-22, 1994 | 1 | 1994 |
Investigation of the Recombination Properties of Oxygen Complexes in Silicon MI Tarasik, VD Tkachev, AM Yanchenko Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov 14 (5), 986-988, 1980 | 1 | 1980 |
О механизме захвата электронов на радиационные дефекты с уровнем Ev+ 0.37 эВ в Ge (Sb), облученном γ-квантами МИ Тарасик, ВЮ Явид, АМ Янченко Физика и техника полупроводников 11 (7), 1435-1436, 1977 | 1 | 1977 |
Capture of Electrons by Repulsive Nickel Centres in Si Under Conditions of Uniaxial Compression MI Tarasik, AM Yanchenko Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov 10 (3), 604-606, 1976 | 1 | 1976 |