Yury Illarionov (Юрий Юрьевич Илларионов)

Geciteerd door

	Alles	Sinds 2019
Citaties	2434	2123
h-index	21	19
i10-index	28	22

680

340

170

510

2013201420152016201720182019202020212022202320249 11 37 34 71 131 160 208 284 538 680 246

Openbare toegang

Alles bekijken

43 artikelen

4 artikelen

beschikbaar

niet beschikbaar

Op basis van financieringsmachtigingen

Medeauteurs

Tibor GrasserProfessor at TU Wien, Head of Institute for Microelectronics, Fellow IEEEGeverifieerd e-mailadres voor iue.tuwien.ac.at
Theresia KnoblochResearcher, TU WienGeverifieerd e-mailadres voor iue.tuwien.ac.at
Michael WaltlFull Professor at TU Wien, Vienna, AustriaGeverifieerd e-mailadres voor iue.tuwien.ac.at
Thomas MuellerVienna University of TechnologyGeverifieerd e-mailadres voor tuwien.ac.at
Max C. LemmeProfessor, RWTH Aachen University, Germany, Director, AMO GmbHGeverifieerd e-mailadres voor eld.rwth-aachen.de
Stefan Wachterpost-doctoral researcher, TU WienGeverifieerd e-mailadres voor tuwien.ac.at
Mario LanzaIEEE Fellow | Associate Professor at KAUSTGeverifieerd e-mailadres voor kaust.edu.sa
Gerhard RzepaGlobal TCAD SolutionsGeverifieerd e-mailadres voor globaltcad.com
Dmitry PolyushkinPhotonics Institute, TU WienGeverifieerd e-mailadres voor tuwien.ac.at
Deji AkinwandeThe University of Texas at Austin, IEEE, MRS, APS, AAS FellowGeverifieerd e-mailadres voor ece.utexas.edu
Sergey SuturinФТИ им. А.Ф.ИоффеGeverifieerd e-mailadres voor mail.ioffe.ru
Vladimir FedorovSt. Petersburg Academic University of Russian Academy of SciencesGeverifieerd e-mailadres voor fl.ioffe.ru
Marco M. Furchi'PostDoc, TU WienGeverifieerd e-mailadres voor tuwien.ac.at
Eric PopPease-Ye Professor of Electrical Eng., Materials Science, Applied Physics, Stanford and SLACGeverifieerd e-mailadres voor stanford.edu
Stanislav Tyaginovprincipal researcher, imecGeverifieerd e-mailadres voor imec.be
Joerg AppenzellerProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityGeverifieerd e-mailadres voor purdue.edu
Anderson David SmithAssociate Professor, Chalmers University of TechnologyGeverifieerd e-mailadres voor kth.se
Sam VaziriStanford UniversityGeverifieerd e-mailadres voor stanford.edu
Mikael ÖstlingKTH Royal Institute of TechnologyGeverifieerd e-mailadres voor kth.se
Mischa ThesbergGlobal TCAD SolutionsGeverifieerd e-mailadres voor globaltcad.com

Volgen

Yury Illarionov (Юрий Юрьевич Илларионов)

Southern University of Science and Technology (SUSTech)

Geverifieerd e-mailadres voor sustech.edu.cn - Homepage

2D materials


Titel Sorteren op citaties Sorteren op jaar Sorteren op titel	Geciteerd door Geciteerd door	Jaar
Transistors based on two-dimensional materials for future integrated circuits S Das, A Sebastian, E Pop, CJ McClellan, AD Franklin, T Grasser, ... Nature Electronics 4, 786-799, 2021	400	2021
Insulators for 2D nanoelectronics: the gap to bridge YY Illarionov, T Knobloch, M Jech, M Lanza, D Akinwande, MI Vexler, ... Nature Communications 11, 3385, 2020	302	2020
The role of charge trapping in MoS2/SiO2 and MoS2/hBN field-effect transistors YY Illarionov, G Rzepa, M Waltl, T Knobloch, A Grill, MM Furchi, T Mueller, ... 2D materials 3, 035004, 2016	206	2016
The performance limits of hexagonal boron nitride as an insulator for scaled CMOS devices based on two-dimensional materials T Knobloch, YY Illarionov, F Ducry, C Schleich, S Wachter, K Watanabe, ... Nature Electronics 4 (2), 98-108, 2021	203	2021
Ultrathin calcium fluoride insulators for two-dimensional field-effect transistors YY Illarionov, AG Banshchikov, DK Polyushkin, S Wachter, T Knobloch, ... Nature Electronics 2 (6), 230-235, 2019	188	2019
Long-term stability and reliability of black phosphorus field-effect transistors YY Illarionov, M Waltl, G Rzepa, JS Kim, S Kim, A Dodabalapur, ... ACS nano 10 (10), 9543-9549, 2016	179	2016
Improved Hysteresis and Reliability of MoS2 Transistors with High-Quality CVD Growth and Al2O3 Encapsulation YY Illarionov, KKH Smithe, M Waltl, T Knobloch, E Pop, T Grasser IEEE Electron Device Letters, 2017	105	2017
Engineering field effect transistors with 2D semiconducting channels: status and prospects X Jing, Y Illarionov, E Yalon, P Zhou, T Grasser, Y Shi, M Lanza Advanced Functional Materials 30 (18), 1901971, 2020	77	2020
Characterization of Single Defects in Ultrascaled MoS₂ Field-Effect Transistors B Stampfer, F Zhang, YY Illarionov, T Knobloch, P Wu, M Waltl, A Grill, ... ACS nano 12 (6), 5368-5375, 2018	60	2018
A Physical Model for the Hysteresis in MoS₂ Transistors T Knobloch, G Rzepa, YY Illarionov, M Waltl, F Schanovsky, B Stampfer, ... IEEE Journal of the Electron Devices Society 6, 972-978, 2018	58	2018
Energetic mapping of oxide traps in MoS2 field-effect transistors YY Illarionov, T Knobloch, M Waltl, G Rzepa, A Pospischil, DK Polyushkin, ... 2D Materials 4 (2), 025108, 2017	58	2017
Bias-temperature Instability in Single-layer Graphene Field-effect Transistors Y Illarionov, M Waltl, A Smith, S Vaziri, M Ostling, T Mueller, M Lemme, ... Applied Physics Letters 105 (14), 143507, 2014	51	2014
Dielectric Properties of Ultrathin CaF2 Ionic Crystals C Wen, AG Banshchikov, YY Illarionov, W Frammelsberger, T Knobloch, ... Advanced Materials, 2002525, 2020	48	2020
Highly-stable black phosphorus field-effect transistors with low density of oxide traps YY Illarionov, M Waltl, G Rzepa, T Knobloch, JS Kim, D Akinwande, ... npj 2D Materials and Applications 1 (1), 23, 2017	43	2017
Improving stability in two-dimensional transistors with amorphous gate oxides by Fermi-level tuning T Knobloch, B Uzlu, YY Illarionov, Z Wang, M Otto, L Filipovic, M Waltl, ... Nature Electronics 5 (6), 356-366, 2022	39	2022
Reliability of scalable MoS2 FETs with 2 nm crystalline CaF2 insulators YY Illarionov, AG Banshchikov, DK Polyushkin, S Wachter, T Knobloch, ... 2D Materials 6 (4), 045004, 2019	35	2019
Hot-carrier degradation and bias-temperature instability in single-layer graphene field-effect transistors: Similarities and differences Y Illarionov, A Smith, S Vaziri, M Ostling, T Mueller, M Lemme, T Grasser IEEE Transactions on electron devices 62 (11), 3876-3881, 2015	32	2015
Perspective of 2D integrated electronic circuits: Scientific pipe dream or disruptive technology? M Waltl, T Knobloch, K Tselios, L Filipovic, B Stampfer, Y Hernandez, ... Advanced Materials 34 (48), 2201082, 2022	30	2022
Impact of mixed negative bias temperature instability and hot carrier stress on MOSFET characteristics—Part I: Experimental B Ullmann, M Jech, K Puschkarsky, GA Rott, M Waltl, Y Illarionov, ... IEEE Transactions on Electron Devices 66 (1), 232-240, 2018	30	2018
Electrical and optical characterization of Au/CaF2/p-Si(111) tunnel-injection diodes YY Illarionov, MI Vexler, SM Suturin, VV Fedorov, NS Sokolov Journal of applied Physics, 2014	28	2014

Het systeem kan de bewerking nu niet uitvoeren. Probeer het later opnieuw.

Artikelen 1–20

Citaties per jaar

Dubbele citaties

Samengevoegde citaties

Medeauteurs toevoegenMedeauteurs

Volgen

Geciteerd door

Medeauteurs