Thomas Mikolajick

Geciteerd door

	Alles	Sinds 2016
Citaties	13471	10883
h-index	61	55
i10-index	232	187

3600

1800

900

2700

20042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202139 55 75 79 88 85 132 123 221 282 485 808 943 1516 2177 2509 3586 129

Medeauteurs

Stefan SlesazeckNaMLab gGmbHGeverifieerd e-mailadres voor namlab.com
Walter M. WeberProfessor of Nanoelectronics at TU WienGeverifieerd e-mailadres voor tuwien.ac.at
Johannes MüllereNVM Technology Development - GLOBALFOUNDRIESGeverifieerd e-mailadres voor ieee.org
Tony SchenkPrincipal Special Project Process / Device Engineer at Ferroelectric Memory CompanyGeverifieerd e-mailadres voor ferroelectric-memory.com
Milan PesicTD manager @ Applied Materials IncGeverifieerd e-mailadres voor amat.com
Halid MulaosmanovicNaMLab gGmbHGeverifieerd e-mailadres voor namlab.com
Dr. Stefan MuellerCTO at Ferroelectric Memory Company (FMC)Geverifieerd e-mailadres voor ferroelectric-memory.com
André HeinzigNaMLab, TU DresdenGeverifieerd e-mailadres voor namlab.com
Dominik MartinFerdinand-Braun-InstitutGeverifieerd e-mailadres voor alumni.tu-berlin.de
Jens TrommerNamlab gGmbHGeverifieerd e-mailadres voor namlab.com
Min Hyuk ParkPusan National UniversityGeverifieerd e-mailadres voor pusan.ac.kr
Patrick PolakowskiFerroelectric Memory CompanyGeverifieerd e-mailadres voor tu-dresden.de
Matthias GrubeNamlab gGmbHGeverifieerd e-mailadres voor namlab.com
Franz P. G. FenglerNaMLab gGmbHGeverifieerd e-mailadres voor namlab.com
Hannes MähneX-FAB Dresden GmbH & Co. KGGeverifieerd e-mailadres voor xfab.com
Gianaurelio CunibertiTU Dresden; https://ORCID.org/0000-0002-6574-7848Geverifieerd e-mailadres voor tu-dresden.de
Benjamin MaxTU Dresden, Institute for Semiconductor and Microsystems, Chair for Nanoelectronic MaterialsGeverifieerd e-mailadres voor namlab.com
Cheol Seong HwangProfessor, Department of Materials Science and Engineering, Seoul National UniversityGeverifieerd e-mailadres voor snu.ac.kr
Larysa BarabanHelmholtz Center Dresden RossendorfGeverifieerd e-mailadres voor hzdr.de
James LeBeauAssociate Professor, Massachusetts Institute of TechnologyGeverifieerd e-mailadres voor mit.edu

Thomas Mikolajick

Scientific Director, NaMLab GmbH and Professor for nanoelectronic materials, TU Dresden

Geverifieerd e-mailadres voor namlab.com - Homepage

semiconductor materials and devices nonvolatile memory microelectronics ferroelectrics GaN


Titel Sorteren op citaties Sorteren op jaar Sorteren op titel	Geciteerd door Geciteerd door	Jaar
Ferroelectricity in Simple Binary ZrO₂ and HfO₂ J Muller, TS Boscke, U Schroder, S Mueller, D Brauhaus, U Bottger, ... Nano letters 12 (8), 4318-4323, 2012	716	2012
Ferroelectricity and Antiferroelectricity of Doped Thin HfO₂‐Based Films MH Park, YH Lee, HJ Kim, YJ Kim, T Moon, KD Kim, J Mueller, A Kersch, ... Advanced Materials 27 (11), 1811-1831, 2015	455	2015
Incipient ferroelectricity in Al‐doped HfO2 thin films S Mueller, J Mueller, A Singh, S Riedel, J Sundqvist, U Schroeder, ... Advanced Functional Materials 22 (11), 2412-2417, 2012	407	2012
Ferroelectricity in yttrium-doped hafnium oxide J Müller, U Schröder, TS Böscke, I Müller, U Böttger, L Wilde, J Sundqvist, ... Journal of Applied Physics 110 (11), 114113, 2011	327	2011
Ferroelectric Zr_0.5Hf_0.5O₂ thin films for nonvolatile memory applications J Müller, TS Böscke, D Bräuhaus, U Schröder, U Böttger, J Sundqvist, ... Applied Physics Letters 99 (11), 112901, 2011	279	2011
Physical Mechanisms behind the Field‐Cycling Behavior of HfO₂‐Based Ferroelectric Capacitors M Pešić, FPG Fengler, L Larcher, A Padovani, T Schenk, ED Grimley, ... Advanced Functional Materials 26 (25), 4601-4612, 2016	267	2016
Reconfigurable silicon nanowire transistors A Heinzig, S Slesazeck, F Kreupl, T Mikolajick, WM Weber Nano letters 12 (1), 119-124, 2012	260	2012
Stabilizing the ferroelectric phase in doped hafnium oxide M Hoffmann, U Schroeder, T Schenk, T Shimizu, H Funakubo, O Sakata, ... Journal of Applied Physics 118 (7), 072006, 2015	217	2015
Ferroelectric hafnium oxide: A CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories J Muller, TS Boscke, S Muller, E Yurchuk, P Polakowski, J Paul, D Martin, ... Electron Devices Meeting (IEDM), 2013 IEEE International, 10.8. 1-10.8. 4, 2013	197	2013
Ferroelectric hafnium oxide based materials and devices: Assessment of current status and future prospects J Müller, P Polakowski, S Mueller, T Mikolajick ECS Journal of Solid State Science and Technology 4 (5), N30-N35, 2015	196	2015
Impact of different dopants on the switching properties of ferroelectric hafniumoxide U Schroeder, E Yurchuk, J Müller, D Martin, T Schenk, P Polakowski, ... Japanese Journal of Applied Physics 53 (8S1), 08LE02, 2014	191	2014
Phase transitions in ferroelectric silicon doped hafnium oxide TS Böscke, S Teichert, D Bräuhaus, J Müller, U Schröder, U Böttger, ... Applied Physics Letters 99 (11), 112904, 2011	177	2011
Ferroelectricity in Gd-doped HfO2 thin films S Mueller, C Adelmann, A Singh, S Van Elshocht, U Schroeder, ... ECS Journal of Solid State Science and Technology 1 (6), N123, 2012	155	2012
Direct Observation of Negative Capacitance in Polycrystalline Ferroelectric HfO₂ M Hoffmann, M Pešić, K Chatterjee, AI Khan, S Salahuddin, S Slesazeck, ... Advanced Functional Materials 26 (47), 8643-8649, 2016	142	2016
Ferroelectricity in HfO₂enables nonvolatile data storage in 28 nm HKMG J Müller, E Yurchuk, T Schlösser, J Paul, R Hoffmann, S Müller, D Martin, ... 2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT), 25-26, 2012	138	2012
Structural Changes Underlying Field‐Cycling Phenomena in Ferroelectric HfO₂ Thin Films ED Grimley, T Schenk, X Sang, M Pešić, U Schroeder, T Mikolajick, ... Advanced Electronic Materials 2 (9), 1600173, 2016	137	2016
A FeFET based super-low-power ultra-fast embedded NVM technology for 22nm FDSOI and beyond S Dünkel, M Trentzsch, R Richter, P Moll, C Fuchs, O Gehring, M Majer, ... 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 19.7. 1-19.7. 4, 2017	127	2017
Co-sputtering yttrium into hafnium oxide thin films to produce ferroelectric properties T Olsen, U Schröder, S Müller, A Krause, D Martin, A Singh, J Müller, ... Applied Physics Letters 101 (8), 082905, 2012	125	2012
Switching kinetics in nanoscale hafnium oxide based ferroelectric field-effect transistors H Mulaosmanovic, J Ocker, S Müller, U Schroeder, J Müller, ... ACS applied materials & interfaces 9 (4), 3792-3798, 2017	120	2017
Metal oxide memories based on thermochemical and valence change mechanisms JJ Yang, IH Inoue, T Mikolajick, CS Hwang MRS bulletin 37 (2), 131-137, 2012	120	2012

Het systeem kan de bewerking nu niet uitvoeren. Probeer het later opnieuw.

Artikelen 1–20

Citaties per jaar

Dubbele citaties

Samengevoegde citaties

Medeauteurs toevoegenMedeauteurs

PDF uploaden

Deze auteur volgen

Geciteerd door

Medeauteurs