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indice h | 35 | 27 |
indice i10 | 103 | 67 |
Coauteurs
- ByungIn Yoo (유병인)Distinguished Engineer, Samsung Advanced Institute of TechnologyAdresse e-mail validée de samsung.com
- Jae-Joon HanSamsung Advanced Institute of TechnologyAdresse e-mail validée de samsung.com
- Sungjoo SuhSamsung Advanced Institute of TechnologyAdresse e-mail validée de samsung.com
- Dusik ParkUniversity of SuwonAdresse e-mail validée de suwon.ac.kr
- ChangYong SonPrincipal Researcher, Samsung Advanced Institute of TechnologyAdresse e-mail validée de samsung.com
- Seungju HanSamsung Advanced Institute of Technology, University of FloridaAdresse e-mail validée de samsung.com
- Junmo KimSchool of Electrical Engineering, KAISTAdresse e-mail validée de kaist.ac.kr
- Wonjun KimAssociate Professor, Konkuk UniversityAdresse e-mail validée de konkuk.ac.kr
- Sangil JungSamsung Advanced Institute of TechnologyAdresse e-mail validée de samsung.com
- Jihye KimSamsung Advanced Institute of Technology (SAIT), Korea Advanced Institute of Science and TechnologyAdresse e-mail validée de samsung.com
- Heechul JungAssociate Professor, KNUAdresse e-mail validée de knu.ac.kr
- JUNHO YIMLG Energy SolutionAdresse e-mail validée de lgensol.com
- Tae-Dok EomAdresse e-mail validée de samsung.com
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Changkyu Choi
Executive Vice President, Samsung Advanced Institute of Technology
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